IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文缩写。可以翻译做绝缘栅双极晶体管。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现...
1. 电能控制:IGBT具有电流控制能力,能够控制电流的流动,使其非常适用于需要高电流和高电压控制的应用,如电力传输和电机控制。2. 电力逆变:IGBT常用于电力逆变...
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域...
首先,IGBT是绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的缩写。这是一种高效的半导体器件,能够快速地开关高电压高电流,并且具有较高的工作频率...
IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压...
IGBT器件:IGBT模块内部包含多个并联或串联连接的IGBT器件。每个IGBT器件都由发射极、基极和集电极组成,它们的工作...
IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) 是一种功率半导体器件,它结合了金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和双极晶体管(BJT)的特性。IGBT具有高电压能力和...
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